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４００第十一章 現(xiàn)代化學(xué)應(yīng)用講座 水浴氮吹儀腐蝕鉻則可用酸性硫酸高鈰、堿性高錳酸鉀、堿性鐵氰化鉀或用鋅接觸硫酸 腐蝕。 ８．去膠 經(jīng)選擇性腐蝕后，在被蝕刻的基片表面留下了所需刻制的圖案線(xiàn)條，此時(shí)作 為保護(hù)膜的抗蝕劑已完成了使命，需用適當(dāng)?shù)娜軇⿲⑵涑ィ蚴怯闷渌瘜W(xué)或 機(jī)械的方法將殘留的抗蝕劑膜除去。這一步即稱(chēng)為去膠。常用的去膠方法有： ①氧化法去膠，即使用濃硫酸、濃硝酸等強(qiáng)氧化劑對(duì)光刻膠進(jìn)行氧化，使膠膜破 壞脫落或炭化，然后除去；或高溫加熱并通氧氧化，使膠膜氧化分解為水和ＣＯ ２ 等揮發(fā)性物質(zhì)而除去。②等離子體去膠，用高頻放電得到氣體等離子體，強(qiáng)烈 地促使抗蝕劑分解氧化成揮發(fā)性氧化物而被除去。這是目前最為先進(jìn)，大有發(fā) 展前途的去膠方法。③紫外光分解去膠，光刻膠膜在空
氣或氧氣流中，用強(qiáng)紫 外光照射，即可分解為揮發(fā)性氣體而被除去。④去膠劑去膠，去膠劑多為有機(jī) 溶劑，可使光刻膠層溶脹或溶解而脫落。 經(jīng)過(guò)上述八個(gè)步驟，整個(gè)光刻過(guò)程就完成了。在微電子器件和集成電路塊 的制作工藝中，根據(jù)實(shí)際需要往往需要進(jìn)行多次光刻。每次光刻的對(duì)象、要求可 能不同，但光刻的原理方法和上述各步驟則基本相同的。 二、光致抗蝕劑的簡(jiǎn)介 光致抗蝕劑，又稱(chēng)光刻膠，是光刻工藝中必不可少的一種關(guān)鍵材料。依賴(lài)光 致抗蝕劑的選擇性保護(hù)，才能實(shí)現(xiàn)選擇性的蝕刻。所以現(xiàn)代光刻技術(shù)的發(fā)展是 以新型光致抗蝕劑的開(kāi)發(fā)和發(fā)展為前提的。 光刻膠顧名思義是一種膠體溶液。它的主要成分就是作為光致抗蝕劑起作 用的一種感光性高分子的化合物，亦稱(chēng)為感光性樹(shù)脂。再加上適當(dāng)?shù)娜軇涂? 配制膠體溶液。改變?nèi)芤褐懈泄庑詷?shù)脂的濃度，就可調(diào)節(jié)膠液的稠度和粘度，以 符合操作工藝的需要。此
外，在光刻膠中一般還加有少量的添加成分，主要是增 感劑、穩(wěn)定劑等，以改善光刻膠的使用性能。 感光性樹(shù)脂的分子結(jié)構(gòu)中含有一定比例的感光性基團(tuán)，在特定波長(zhǎng)的光照 射下，這些對(duì)光敏感的部位會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，或產(chǎn)生交聯(lián)，或裂解。依照它們受 光照后所引發(fā)的光化學(xué)反應(yīng)的不同類(lèi)型，可將光刻膠分為正性光刻膠和負(fù)性光 刻膠兩大類(lèi)。現(xiàn)分別介紹如下： １．負(fù)性光致抗蝕劑 又稱(chēng)負(fù)性光刻膠、負(fù)性膠或負(fù)膠。這是最早實(shí)現(xiàn)工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的，也是目前 用得最廣泛，用量最大的一類(lèi)光刻膠。這類(lèi)光刻膠在曝光前是以線(xiàn)型高分子狀 態(tài)存在的，能溶于一定的溶劑，一旦受光照射后，產(chǎn)生了交聯(lián)，變成不溶性的，因 而稱(chēng)為光固化型的。以這種膠作為光致抗蝕劑進(jìn)行光刻所得到的
